EFC6601R-TR
- Beschreibung :
- MOSFET 2N-CH EFCP
- Paket :
- EFCP2718-6CE-020
- Dieser Teil ist RoHS-konform
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- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- -
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- -
- FET Feature :
- Logic Level Gate,2.5V Drive
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 48nC @ 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- -
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 6-XFBGA,FCBGA
- Packaging :
- Tape & Reel (TR)
- Power - Max :
- 2W
- Rds On (Max) @ Id,Vgs :
- -
- Series :
- -
- Supplier Device Package :
- EFCP2718-6CE-020
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- -